トランジスタ開発技術者（設計を除く）

業界・職種

分類

概要

トランジスタの性能向上や新規デバイス開発のため、材料・プロセス・評価技術の研究開発を行う専門技術職。

詳細説明

トランジスタ開発技術者は、半導体デバイスの動作原理や物性を基に、製造プロセスや材料構造の最適化を行います。薄膜成長、ドーピング、エッチングなどのプロセス開発を担当し、電気的特性測定や信頼性試験を通じて性能データを解析します。量産技術への移行に際しては、歩留まり改善やコスト低減のための工程管理や統計解析を行い、研究部門や製造部門、材料ベンダーと連携して製品化までの技術移転と品質管理を推進します。

将来性

半導体市場の拡大と次世代デバイスへの需要増に伴い、高度なプロセス技術開発や新材料探索のニーズが拡大。AIチップやIoT向けデバイス開発の進展で専門性の高い人材需要は増加する見込み。

性格特性

協調性がある / 好奇心や探究心がある / 忍耐力がある / 慎重で几帳面である

労働スタイル

チームプロジェクト / リモート一部可 / 研究所勤務 / 研究開発勤務

キャリアパス

研究員 → シニア研究員 → プロセス開発リーダー → 技術部マネージャ → 研究開発部門本部長

必須スキル

デバイス評価 / データ解析 / 分析装置操作 / 半導体プロセス技術

推奨スキル

プロセスシミュレーション（TCAD） / 半導体物理 / 統計的プロセス制御 / 英語論文読解

適性（得意であることが望ましい）

項目	説明
分析・論理的思考力	実験データの解析や特性評価で高度な論理的思考が必要なため。
注意力・正確性	微細加工プロセスの精度管理が重要なため。
創造性・アイデア発想力	新規材料や構造を提案する創造力が求められるため。
専門知識習得・学習意欲	新材料・新技術の動向を継続的に学習する必要があるため。
問題解決力	プロセス不良や評価結果の原因追及で必要となるため。

適性（苦手でも可）

項目	説明
体力・持続力	主にラボワークで、重作業は少ないため。

別名

トランジスタ技術者
半導体デバイス開発技術者

キーワード

MOSFET イオン注入キャリア輸送シリコンドーピングバイポーラトランジスタ窒化ガリウム薄膜形成